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schottky junction
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graphene
(218)
schottky junctions
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주제
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schottky junction
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graphene
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schottky junctions
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silicon
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efficiency
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thin-films
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(
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semiconductor
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field-effect transistors
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acs applied materials & interfaces
(66)
ieee transactions on electron devices
(53)
ieee transactions on electron devices, electron devices, ieee transactions on, ieee trans. electron devices
(53)
간행물
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Name
acs applied materials & interfaces
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ieee transactions on electron devices
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ieee transactions on electron devices, electron devices, ieee transactions on, ieee trans. electron devices
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nanotechnology
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journal of the korean physical society
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materials
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silicon
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한국진공학회 학술발표회초록집
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analytical and bioanalytical chemistry
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journal of nanobiotechnology
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journal of the korean institute of electrical and electronic material engineers
(
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journal of the korean institute of electronic material engineers
(
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전기전자재료학회논문지
(
3
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전기전자재료학회논문지(j. korean inst. electr. electron. mater. eng.)
(
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handbook of ii-vi semiconductor-based sensors and radiation detectors : volume 2, photodetectors
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journal of power electronics
(
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nano-micro letters
(
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nanostructured materials for environmental applications
(
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nanotechnology reviews
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proceedings of the international conference & workshop on emerging trends in technology
(
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proceedings of the international conference and workshop on emerging trends in technology
(
2
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transactions on electrical and electronic materials
(
2
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한국재료학회지
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advances in nanostructured materials
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advances in signal processing and communication : select proceedings of icsc 2018
(
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)
advances in superconductivity iv : proceedings of the 4th international symposium on superconductivity (iss '91), october 14-17, 1991, tokyo
(
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)
advances in superconductivity x : proceedings of the 10th international symposium on superconductivity (iss '97), october 27-30, 1997, gifu volume 1-3
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annual book of astm standards
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contemporary physics
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iii-nitride semiconductors and their modern devices
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ieee
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amer chemical soc
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elsevier
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출판사
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Name
ieee
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amer chemical soc
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elsevier
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iop publishing ltd
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(
17
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vysoke uceni technicke v brne. fakulta strojniho inzenyrstvi
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de gruyter
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taylor & francis ltd
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linkopings universitet, tekniska fakulteten
(
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)
beilstein-institut
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cent china normal univ, peoples r china
(
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kth, elektrisk energiomvandling
(
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linkopings universitet, halvledarmaterial
(
6
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linkopings universitet, tunnfilmsfysik
(
6
)
max iv lab, sweden
(
6
)
wiley-blackwell
(
6
)
한국전기전자재료학회
(
6
)
acreo swedish ict ab
(
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kista : mikroelektronik och informationsteknik
(
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kth, integrerade komponenter och kretsar
(
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kth, mikroelektronik och informationsteknik, imit
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springer-verlag
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stockholm
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stockholm, sweden
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tsinghua university press
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the korean institute of electrical and electronic material engineers
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한국진공학회
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university of manchester
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mdpi - multidisciplinary digital publishing institute
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japanese
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Graphene Quantum Dots Enhanced Graphene/Si Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors
학술저널
issue
IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(5):758-761 May, 2024
Author
Zhang, Z.
Li, Z.
Chai, J.
Dai, Y.
Chen, Y.
Xie, Y.
Zhang, Q.
Liu, D.
Fan, X.
Lan, S.
Ma, Y.
He, Y.
Zhao, Y.
Wang, P.
Yu, B.
Xu, Y.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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조회 - Impact Factor (JCR)
2
Analysis of Effects of Defects on Degradation Mechanism of 1200-V/40-A 4H-SiC
Junction
Barrier
Schottky
Diodes Induced by High-Reserve Bias Stress
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(5):2931-2935 May, 2024
Author
Li, J.
Ding, T.
Zhou, L.
Wu, Z.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
원문보기
Full Text (IEEE)
등재 - SCOPUS
조회 - Impact Factor (JCR)
3
Analysis of Vertical GaN JBS and p-n Diodes by Mg Ion Implantation and Ultrahigh-Pressure Annealing
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(3):1494-1501 Mar, 2024
Author
Stein, S.R.
Khachariya, D.
Mecouch, W.
Mita, S.
Reddy, P.
Tweedie, J.
Sierakowski, K.
Kamler, G.
Bockowski, M.
Kohn, E.
Sitar, Z.
Collazo, R.
Pavlidis, S.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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등재 - SCOPUS
조회 - Impact Factor (JCR)
4
Fabricating and TCAD Optimization for a SiC Trench MOSFET With Tilted P-Shielding Implantation and Integrated TJBS
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(3):1618-1625 Mar, 2024
Author
Yi, B.
Li, H.
Zhang, B.
Xu, Y.
Shi, W.
Xiang, Y.
Zhou, R.
Cheng, J.
Huang, H.
Kong, M.
Yang, H.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
원문보기
Full Text (IEEE)
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등재 - SCOPUS
조회 - Impact Factor (JCR)
5
Demonstration of High Avalanche Capability in 1200 V-Rated SiC
Junction
Barrier
Schottky
Diodes With Record Avalanche Energy Density
학술저널
issue
IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 39(3):2912-2916 Mar, 2024
Author
Liu, Y.
Tang, X.
Yuan, H.
Wang, X.
Zhang, Y.
Guo, J.
Sun, L.
Song, Q.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
원문보기
Full Text (IEEE)
등재 - Web of Science (SCIE)
등재 - SCOPUS
조회 - Impact Factor (JCR)
6
JBS Device Design and Post-Etch Surface Repair Process Research
회의자료
issue
2023 20th China International Forum on Solid State Lighting & 2023 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS) Solid State Lighting & 2023 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS), 2023 20th China International Forum on. :196-199 Nov, 2023
Author
Gao, Haoran
Ren, Zihan
Qin, Yalong
Guo, Weiling
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
원문보기
Full Text (IEEE)
7
Development of 1200V 150A High Temperature High Current SiC JBS Diodes
회의자료
issue
2023 IEEE 2nd International Power Electronics and Application Symposium (PEAS) Power Electronics and Application Symposium (PEAS), 2023 IEEE 2nd International. :1655-1658 Nov, 2023
Author
Luo, Yehui
Li, Chengzhan
Zheng, Changwei
Wang, Yafei
Bai, Yun
Tang, Yidan
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
원문보기
Full Text (IEEE)
8
An Ultralow Forward Voltage SiC Trenched
Junction
-Pinched Barrier Rectifier (TBR)
회의자료
issue
2023 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia) Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia), 2023 IEEE Workshop on. :1-4 Aug, 2023
Author
Hsu, Fu-Jen
Yen, Cheng-Tyng
Hung, Hsiang-Ting
Chang, Ting-Fu
Hu, Jia-Wei
Huang, Chih-Fang
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
원문보기
Full Text (IEEE)
9
The Impact of Anode p+ Islands Layout on the Performance of NiOx/β-Ga₂O₃ Hetero-
Junction
Barrier
Schottky
Diodes
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(11):5603-5608 Nov, 2023
Author
Zhang, F.
Zheng, X.
He, Y.
Wang, X.
Hong, Y.
Zhang, X.
Yuan, Z.
Wang, Y.
Lu, X.
Yin, J.
Gao, Y.
Ma, X.
Hao, Y.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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Full Text (IEEE)
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조회 - Impact Factor (JCR)
10
High-Sensitivity Photodetectors Based on Silver Nanowires/Silicon Nanopillar Arrays
학술저널
issue
IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 23(17):19218-19225 Sep, 2023
Author
Zhao, J.
Liu, H.
Deng, L.
Du, Y.
Yin, X.
Wang, J.
Xie, F.
Wen, S.
Wang, S.
Liu, W.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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Full Text (IEEE)
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