자료유형 | 학위논문 |
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서명/저자사항 | 0.2㎛ T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMTs의 제작 및 특성에 관한 연구/ 배창민. |
개인저자 | 배창민. |
단체저자명 | 포항공과대학교. 대학원. 전자전기공학과. |
발행사항 | 포항: 포항공과대학교, 1997. |
형태사항 | vi,36장: 삽화; 26cm. |
학위논문주기 | 학위논문(석사) -- 포항공과대학교 대학원:전자전기공학과 반도체전공,1997 |
비통제주제어 | 0.2㎛,T형,게이트,ALGAAS/INGAAS,P-HEMTs |
분류기호(DDC) | 621.38 |
언어 | 한국어 |
보존/밀집/기증 자료 신청 분관대출 서가부재도서 무인예약대출 배달서비스 소장위치출력
No. | 등록번호 | 청구기호 | 소장처 | 밀집번호 | 도서상태 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 | 매체정보 |
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1 | 9026179 | TM 621.38 배811ㅇㅍ 1997 | 중앙도서관[별관]/보존자료실/ | Y2026833 | 대출불가(별치) |