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多結晶 InSb 絶緣-게이트 薄膜 電界效果 트랜지스터의 特性硏究
상세 프로파일
상세정보
자료유형 | 학위논문 |
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서명/저자사항 | 多結晶 InSb 絶緣-게이트 薄膜 電界效果 트랜지스터의 特性硏究= (An)Analysis of the characteristics of polycrystal InSb thin film IGFET/ 金弘培. |
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개인저자 | 김홍배.
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단체저자명 | 한양대학교. 대학원. 전자통신공학과.
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발행사항 | 서울: 漢陽大學校, 1985. |
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형태사항 | 103p.: 삽화; 26cm. |
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학위논문주기 | 학위논문(박사) -- 漢陽大學校 大學院:電子通信工學科,1985 |
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비통제주제어 | 다결정,INSB,절연게이트,박막,전계효,트랜지스터,특성연구,ANALYSIS,CHARACTERISTICS,POLYCRYSTAL,THIN,FILM,IGFET |
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분류기호(DDC) | 621.38
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언어 | 한국어 |
소장정보
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No. |
등록번호 |
청구기호 |
소장처 |
밀집번호 |
도서상태 |
반납예정일 |
예약 |
서비스 |
매체정보 |
1 |
9047791 |
TD 621.38 김95ㄷㅎ 1985 |
중앙도서관[별관]/학위논문실/
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Z4100517 |
대출불가(별치) |
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