부가기능
ULSI MOS 素子의 게이트 電極을 위한 텅스텐 실리사이드 硏究
상세 프로파일
상세정보
자료유형 | 학위논문 |
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서명/저자사항 | ULSI MOS 素子의 게이트 電極을 위한 텅스텐 실리사이드 硏究/ 盧官鍾. |
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개인저자 | 노관종.
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발행사항 | 서울: 성균관대학교, 2001. |
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형태사항 | 114 p.: 삽화; 26 cm. |
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부분표제 | Tungsten silicides for Gate Metal in ULSI MOS Devices.
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학위논문주기 | 학위논문(박사) -- 성균관대학교 대학원:전기전자 및 컴퓨터공학과 전기전자 및 컴퓨터 공학 전공,2001. |
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서지주기 | 참고문헌 : p.102-113
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분류기호(DDC) | 621.3815
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언어 | 한국어 |
소장정보
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No. |
등록번호 |
청구기호 |
소장처 |
밀집번호 |
도서상태 |
반납예정일 |
예약 |
서비스 |
매체정보 |
1 |
9095279 |
TD 621.3815 노16uㅈ 2001 |
중앙도서관[별관]/보존자료실/
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Y2043923 |
대출불가(별치) |
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