| LDR | | 01258nam ac200313 c 4500 |
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▼c 가격불명 |
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▼a 224010
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▼d 224010 |
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▼a kor
▼b kor |
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▼a 621.36
▼b 김96ㅈㅈ
▼c 2007 |
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▼a 9103761
▼v 2007
▼x TM |
| 100 | 1 |
▼a 김효정 |
| 245 | 10 |
▼a GaN계 광소자의 etch-induced damage의 제거 및 특성분석=
▼x Characterization and elimination of etch-induced damage for GaN-based optoelectronic device/
▼d 김효정 저. |
| 246 | 1 |
▼a Characterization and elimination of etch-induced damage for GaN-based optoelectronic device |
| 260 | |
▼a 광주:
▼b 전남대학교 대학원,
▼c 2007. |
| 300 | |
▼a 72p:
▼b 삽화;
▼c 26cm. |
| 500 | |
▼a 지도교수:이준기 |
| 502 | 0 |
▼a 학위논문(석사)--
▼b 전남대학교 대학원 일반대학원:
▼c 광.전자재료협동과정,
▼d 2007. 2 |
| 504 | |
▼a 참고문헌: p.58-60 |
| 538 | |
▼a Requires PDF file reader(application/pdf) |
| 653 | |
▼a GaN, etch-induced damage, V-I, TLM, ICP-RIE, wet cleaning, NaOH |
| 700 | 1 |
▼a 김효정 |
| 856 | 4 |
▼a dcollection.jnu.ac.kr
▼u http://dcollection.jnu.ac.kr/jsp/common/DcLoOrgPer.jsp?sItemId=000000024375 |